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NE960R275 +BOM

RF JFET Transistors designed for Ku Band MESFET

Produttore:

CEL
ProduttorePart #:

NE960R275
Scheda dati:

NE960R275 Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

MESFET
Technology:

GaAs
Operating Frequency:

14.5 GHz
Gain:

10 dB

Avaq Semiconductor offre il driver NE960R275 altamente versatile e affidabile, prodotto da CEL. Con le sue capacità multifunzionali e ad alte prestazioni, questo componente è una scelta eccellente per un'ampia gamma di progetti elettronici.

Per garantire di avere tutte le informazioni necessarie per sfruttare al meglio questo componente, Avaq fornisce una scheda tecnica PDF gratuita, nonché schemi elettrici, layout dei pin, dettagli dei pin, valori di tensione dei pin e componenti equivalenti per il NE960R275.

Avaq offre anche campioni gratuiti. Basta compilare e inviare il modulo di richiesta campione per ricevere i campioni gratuiti da testare. Se avete domande, non esitate a contattarci in qualsiasi momento.

Specifiche

Product Category	RF JFET Transistors	Transistor Type	MESFET
Technology	GaAs	Operating Frequency	14.5 GHz
Gain	10 dB	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	15 V
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage	- 7 V	Id - Continuous Drain Current	350 mA
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Pd - Power Dissipation	2.5 W
Mounting Style	Screw Mount	P1dB - Compression Point	25 dBm
Product	RF JFET	Product Type	RF JFET Transistors
Subcategory	Transistors	Type	GaAs MESFET

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..