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NE85619-T1-A +BOM

Perfect for small-signal switching and amplifying signal

Produttore:

CEL
ProduttorePart #:

NE85619-T1-A
Scheda dati:

NE85619-T1-A Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

Bipolar
Technology:

Si
Transistor Polarity:

NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

12 V
EDA/CAD Modelli:

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NE85619-T1-A Descrizione generale

RF Transistor NPN 12V 100mA 4.5GHz 125mW Surface Mount SOT-523

Caratteristiche principali

HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT:
fT= 7 GHz
LOW NOISE FIGURE:
1.1 dB at 1 GHz
HIGH COLLECTOR CURRENT:100 mA
HIGH RELIABILITY METALLIZATION
LOW COST

Specifiche

Product Category	RF Bipolar Transistors	Transistor Type	Bipolar
Technology	Si	Transistor Polarity	NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	12 V	Emitter- Base Voltage VEBO	3 V
Continuous Collector Current	100 mA	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Configuration	Single
Mounting Style	SMD/SMT	DC Current Gain hFE Max	160
Gain Bandwidth Product fT	4.5 GHz	Height	0.75 mm
Length	1.6 mm	Pd - Power Dissipation	100 mW
Product Type	RF Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	Transistors	Type	RF Bipolar Small Signal
Width	0.8 mm	Part # Aliases	2SC5006-T1-A

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