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HGTG20N60C3 +BOM

The HGTG20N60C3 device is a type of Insulated Gate Bipolar Transistor, commonly known as IGBT

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

HGTG20N60C3
Scheda dati:

HGTG20N60C3 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

600 V
EDA/CAD Modelli:

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tel: +852 95804164

Caratteristiche principali

45A, 600V, TC = 25°C
600V Switching SOA Capability
Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 108ns at TJ = 150°C
Short Circuit Rating
Low Conduction Loss
Related Literature
- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards”

Specifiche

Product Category	IGBT Transistors	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V	Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V
Continuous Collector Current at 25 C	45 A	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	HGTG20N60
Continuous Collector Current Ic Max	45 A	Height	20.82 mm
Length	15.87 mm	Product Type	IGBT Transistors
Subcategory	IGBTs	Width	4.82 mm
Unit Weight	1.340411 oz

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