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NE68019-T1 +BOM

Advanced semiconductor technology ensures excellent stability and reliabilit

Produttore:

CEL
ProduttorePart #:

NE68019-T1
Scheda dati:

NE68019-T1 Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

Bipolar
Technology:

Si
Transistor Polarity:

NPN
Operating Frequency:

10 GHz
EDA/CAD Modelli:

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NE68019-T1 Descrizione generale

RF Transistor NPN 10V 35mA 10GHz 100mW Surface Mount SOT-523

Specifiche

Product Category	RF Bipolar Transistors	Transistor Type	Bipolar
Technology	Si	Transistor Polarity	NPN
Operating Frequency	10 GHz	Emitter- Base Voltage VEBO	1.5 V
Continuous Collector Current	35 mA	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Configuration	Single
Collector- Base Voltage VCBO	20 V	DC Current Gain hFE Max	80 at 5 mA at 3 V
Pd - Power Dissipation	100 mW	Product Type	RF Bipolar Transistors
Subcategory	Transistors	Type	RF Bipolar Small Signal

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