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NE5520379A +BOM

Advanced device technology for reliable high-frequency signal processing and transmissio

  • Produttore:

    NEC

  • ProduttorePart #:

    NE5520379A

  • Scheda dati:

    NE5520379A Scheda dati (PDF) pdf-icon

  • Transistor Polarity:

    N-Channel

  • Technology:

    Si

  • Id - Continuous Drain Current:

    1.5 A

  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:

    15 V

NE5520379A Descrizione generale

The status of product NE5520379A is listed as discontinued, indicating that it is no longer in production or available for purchase. As such, we are unable to provide ongoing support or services for this product. Customers are advised to consider upgrading to newer models or seeking out similar products from alternative sources

Caratteristiche principali

  • LOW COST PLASTIC SURFACE MOUNT PACKAGE
  • HIGH OUTPUT POWER: +35.5 dBm TYP
  • HIGH LINEAR GAIN: 16 dB TYP @ 915 MHz
  • HIGH POWER ADDED EFFICIENCY: 65% TYP @ VDS = 3.2 V, f = 915 MHz
  • SINGLE SUPPLY: 2.8 to 6.0 V
  • CLASS AB OPERATION
  • SURFACE MOUNT PACKAGE: 5.7x5.7x1.1 mm MAX

Specifiche

Product Category RF MOSFET Transistors Transistor Polarity N-Channel
Technology Si Id - Continuous Drain Current 1.5 A
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 15 V Operating Frequency 915 MHz
Gain 16 dB Minimum Operating Temperature - 65 C
Maximum Operating Temperature + 125 C Mounting Style SMD/SMT
Channel Mode Depletion Configuration Single
Forward Transconductance - Min 2.5 S Pd - Power Dissipation 20 W
Product Type RF MOSFET Transistors Subcategory MOSFETs
Transistor Type LDMOS FET Type RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source Voltage 5 V

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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