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Vedi Specifiche Tecniche

NE662M04 +BOM

Versatile pin SOT-package solution for RF and microwave systems development

Produttore:

NEC
ProduttorePart #:

NE662M04
Scheda dati:

NE662M04 Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

Bipolar
Technology:

Si
Transistor Polarity:

NPN
Operating Frequency:

25000 MHz (Typ)
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per NE662M04

Caratteristiche principali

HIGH GAIN BANDWIDTH: fT = 25 GHz
LOW NOISE FIGURE: NF = 1.1 dB at 2 GHz
HIGH MAXIMUM STABLE GAIN: 20 dB at f = 2 GHz
NEW LOW PROFILE M04 PACKAGE:
SOT-343 footprint, with a height of just 0.59 mm
Flat Lead Style for better RF performance

Specifiche

Product Category	RF Bipolar Transistors	Transistor Type	Bipolar
Technology	Si	Transistor Polarity	NPN
Operating Frequency	25000 MHz (Typ)	Emitter- Base Voltage VEBO	1.5 V
Continuous Collector Current	35 mA	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Configuration	Single
Collector- Base Voltage VCBO	15 V	DC Current Gain hFE Max	50 at 5 mA at 2 V
Pd - Power Dissipation	115 mW	Product Type	RF Bipolar Transistors
Subcategory	Transistors	Type	RF Bipolar Small Signal

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..