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RF Mosfet 2 V 10 mA 12GHz 13.5dB SMD
SO-1Produttore:
CEL
ProduttorePart #:
NE3210S01
Scheda dati:
Technology:
GaAs HJ-FET
Frequency:
12GHz
Gain:
13.5dB
Voltage - Test:
2 V
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SUPER LOW NOISE FIGURE:
0.35 dB TYP at f = 12 GHz
HIGH ASSOCIATED GAIN:
13.5 dB TYP at f = 12 GHz
GATE LENGTH: LG0.20 m
GATE WIDTH: WG = 160 m
Technology | GaAs HJ-FET | Configuration | - |
Frequency | 12GHz | Gain | 13.5dB |
Voltage - Test | 2 V | Current Rating (Amps) | 15mA |
Noise Figure | 0.35dB | Current - Test | 10 mA |
Power - Output | - | Voltage - Rated | 4 V |
Mounting Type | - |
Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione
Metodo di pagamento
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AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..
Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
Promettiamo di fornire un servizio di garanzia della qualità di 365 giorni per tutti i nostri prodotti.
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | - | - |
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