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Vedi Specifiche Tecniche

NE5511279A +BOM

RF Power MOSFET

Produttore:

NEC ELECTRONICS CORP
ProduttorePart #:

NE5511279A
Scheda dati:

NE5511279A Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

No
Part Life Cycle Code:

Transferred
Pin Count:

4
Reach Compliance Code:

compliant

NE5511279A Descrizione generale

Support is limited to customers who have already adopted these products.

This product is discontinued product or is discontinued notice product.

Caratteristiche principali

Low input bias current: <±3nA
Low input offset current: <±3nA
Low input offset voltage:<1mV
Low supply current: 1.5mA/A
1V/µs slew rate
High input impedance: 100MΩ
High common-mode impedance: 10GΩ
Internal compensation for unity gain
600Ω drive capability (7VRMS)

Applicazione

AC amplifiers
RC active filters
Transducer amplifiers
DC gain block
Instrumentation amplifier

Specifiche

Pbfree Code	No	Part Life Cycle Code	Transferred
Pin Count	4	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Case Connection	SOURCE
Configuration	SINGLE	DS Breakdown Voltage-Min	8 V
Drain Current-Max (ID)	3 A	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Highest Frequency Band	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 Code	R-XQMW-F4
JESD-609 Code	e0	Number of Elements	1
Number of Terminals	4	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	TIN LEAD
Terminal Form	FLAT	Terminal Position	QUAD
Transistor Application	AMPLIFIER	Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

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Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

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DHL

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Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..