Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

NE3510M04-T2-A +BOM

RF Mosfet 2 V 15 mA 4GHz 16dB M04

Produttore:

CEL
ProduttorePart #:

NE3510M04-T2-A
Scheda dati:

NE3510M04-T2-A Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

HFET
Technology:

GaAs
Operating Frequency:

4 GHz
Gain:

16 dB

NE3510M04-T2-A Descrizione generale

The NE3510M04-T2-A is a high-performance Trans FET N-CH with a voltage rating of 4V and a current rating of 97mA. This 4-Pin Thin-Type Super Mini-Mold package is designed for applications where space is limited and high efficiency is required

Specifiche

Product Category	RF JFET Transistors	Transistor Type	HFET
Technology	GaAs	Operating Frequency	4 GHz
Gain	16 dB	Transistor Polarity	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	4 V	Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage	- 3 V
Id - Continuous Drain Current	97 mA	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	125 mW	Mounting Style	SMD/SMT
Forward Transconductance - Min	70 mS	NF - Noise Figure	0.45 dB
P1dB - Compression Point	11 dBm	Product	RF JFET Transistors
Product Type	RF JFET Transistors	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	Transistors	Type	GaAs HFET

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..