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NE68133 +BOM

L Band Silicon NPN RF Small Signal Transistor in Plastic Package

Produttore:

Renesas Electronics
ProduttorePart #:

NE68133
Scheda dati:

NE68133 Scheda dati (PDF)
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

10 V
Collector- Base Voltage VCBO:

20 V
EDA/CAD Modelli:

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NE68133 Descrizione generale

DESCRIPTIONNECs NE681 series of NPN epitaxial silicon transistors are designed for low noise, high gain, low cost amplifier applications. Both the chip and micro-x versions are suitable for amplifier applications up to 4 GHz. The NE681 die is also available in six different low cost plastic surface mount package styles. NE681s unique device characteristics allow you to use a single matching point to simultaneously achieve both low noise and high gain.FEATURES• HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: fT = 8 GHz• LOW NOISE FIGURE: 1.2 dB at 1 GHz 1.6 dB at 2 GHz• HIGH ASSOCIATED GAIN: 15 dB at 1 GHz 12 dB at 2 GHz• LOW COST

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Transistor Polarity	NPN
Configuration	Single	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	10 V
Collector- Base Voltage VCBO	20 V	Emitter- Base Voltage VEBO	1.5 V
Maximum DC Collector Current	65 mA	Pd - Power Dissipation	200 mW
Gain Bandwidth Product fT	9 GHz	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	DC Collector/Base Gain hfe Min	50 at 7 mA, 3 V
Height	1.4 mm	Length	2.9 mm
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	1.5 mm

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