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C3M0065100J +BOM

High power 65mOhm SiC transistor

Produttore:

Wolfspeed
ProduttorePart #:

C3M0065100J
Scheda dati:

C3M0065100J Scheda dati (PDF)
Technology:

SiC
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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C3M0065100J Descrizione generale

N-Channel 1000 V 35A (Tc) 113.5W (Tc) Surface Mount D2PAK-7

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	SiC
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	1 kV
Id - Continuous Drain Current	35 A	Rds On - Drain-Source Resistance	65 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 4 V, + 15 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1.8 V
Qg - Gate Charge	35 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	113.5 W
Channel Mode	Enhancement	Configuration	Single
Fall Time	7.5 ns	Forward Transconductance - Min	14.3 S
Moisture Sensitive	Yes	Product Type	MOSFET
Rise Time	9 ns	Factory Pack Quantity	50
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	13 ns	Typical Turn-On Delay Time	13 ns
Unit Weight	0.056438 oz

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