Metodo di pagamento
IRF3205 +BOM
TO-220AB Tube Power Transistor with N-Channel Silicon
TO-220-3-
Produttore:
-
ProduttorePart #:
IRF3205
-
Scheda dati:
-
Technology:
Si
-
Mounting Style:
Through Hole
-
Transistor Polarity:
N-Channel
-
Number Of Channels:
1 Channel
-
EDA/CAD Modelli:
Invia tutte le distinte materiali a [email protected], oppure compila il modulo sottostante per un preventivo su IRF3205. Risposta garantita entro 12hr.
Disponibilità: 6872 PZ
Compila il breve modulo sottostante e ti forniremo immediatamente il preventivo.
IRF3205 Information
Descrizione generale
The IRF3205 MOSFET, part of the esteemed IR MOSFET family, symbolizes a new era of power management solutions. By employing cutting-edge silicon processes, this MOSFET caters to a broad spectrum of applications ranging from DC motors and inverters to SMPS units, lighting fixtures, load switches, and portable electronics. Designers are presented with a rich selection of devices within the IR MOSFET family, allowing for tailored solutions to meet specific project demands. With industry-standard footprints available in both surface mount and through-hole packages, the IRF3205 facilitates seamless integration into designs while ensuring optimal performance and reliability
Caratteristiche principali
- Suitable for high-voltage applications
- To-220 package for easy integration
- Fully RoHS compliant for environmental safety
- Compact size and low thermal resistance
Applicazione
- Used in motor controls
- Essential for power supplies
- Common in DC converters
- Applicable in inverters
- Vital for battery management
- Utilized in solar systems
Specifiche
Product Category | MOSFET | Technology | Si |
Mounting Style | Through Hole | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 55 V |
Id - Continuous Drain Current | 110 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 8 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 175 C | Pd - Power Dissipation | 200 W |
Channel Mode | Enhancement | Configuration | Single |
Fall Time | 65 ns | Height | 15.65 mm |
Length | 10 mm | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 101 ns | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 50 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 14 ns | Width | 4.4 mm |
Unit Weight | 0.068784 oz | Package/Case | TO-220-3 |
Politiche di servizio e altro
Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione
Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:
[email protected]metodo di spedizione
AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..
Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
Promettiamo di fornire un servizio di garanzia della qualità di 365 giorni per tutti i nostri prodotti.
In Stock: 6.872
Minimum Order: 1
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | - | - |
I prezzi sottostanti sono solo di riferimento.