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MAT01GH +BOM
6-pin TO-78 Tube package containing a NPN Bipolar Junction Transistor with a max voltage rating of 45V
TO-78-6-
Produttore:
Analog Devices
-
ProduttorePart #:
MAT01GH
-
Scheda dati:
-
Mounting Style:
Through Hole
-
Transistor Polarity:
NPN
-
Configuration:
Dual
-
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
45 V
-
EDA/CAD Modelli:
Disponibilità: 3848 PZ
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MAT01GH Descrizione generale
The MAT01GH is a highly reliable dual NPN transistor, boasting a unique Silicon Nitride "Triple-Passivation" process that ensures exceptional stability of key parameters across varying temperatures and time periods. With an offset voltage as low as 40µV, temperature drift of just 0.15µV/°C, and hFE matching accuracy of 0.7%, this transistor offers unmatched precision and consistency in performance
Caratteristiche principali
- Low VOS (VBE match): 40 μV typical, 100 μV maximum
- Low TCVOS: 0.5 μV/°C maximum
- High hFE: 500 minimum
Applicazione
- Voltage references
- Temperature sensors
- Phase locked loops
Specifiche
Product Category | Bipolar Transistors - BJT | Mounting Style | Through Hole |
Transistor Polarity | NPN | Configuration | Dual |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 45 V | Collector- Base Voltage VCBO | 45 V |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 800 mV |
Maximum DC Collector Current | 25 mA | Pd - Power Dissipation | 500 mW |
Gain Bandwidth Product fT | 450 MHz | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 125 C | Series | MAT01 |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 250 at 10 uA, 15 V | Height | 4.7 mm |
Length | 9.4 mm | Product Type | BJTs - Bipolar Transistors |
Factory Pack Quantity | 100 | Subcategory | Transistors |
Technology | Si | Width | 9.4 mm |
Unit Weight | 0.080284 oz |
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In Stock: 3.848
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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