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30V 500mW 100@150mA,10V 800mA NPN TO-18 Bipolar Transistors - BJT ROHS
TO-18-3Produttore:
Stmicroelectronics
ProduttorePart #:
2N2222
Scheda dati:
Mounting Style:
Through Hole
Transistor Polarity:
NPN
Configuration:
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
30 V
EDA/CAD Modelli:
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Bipolar (BJT) Transistor NPN 30 V 600 mA 250MHz 500 mW Through Hole TO-18
Product Category | Bipolar Transistors - BJT | Mounting Style | Through Hole |
Transistor Polarity | NPN | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 30 V | Collector- Base Voltage VCBO | 60 V |
Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V | Maximum DC Collector Current | 800 mA |
Pd - Power Dissipation | 1.8 W | Gain Bandwidth Product fT | 250 MHz |
Minimum Operating Temperature | - 65 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Series | 2N2222 | Continuous Collector Current | 600 mA |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 35 | DC Current Gain hFE Max | 300 |
Height | 5.3 mm | Length | 5.8 mm |
Product Type | BJTs - Bipolar Transistors | Factory Pack Quantity | 1 |
Subcategory | Transistors | Technology | Si |
Width | 5.8 mm |
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Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
Promettiamo di fornire un servizio di garanzia della qualità di 365 giorni per tutti i nostri prodotti.
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | $1,548 | $1,55 |
200+ | $0,618 | $123,60 |
500+ | $0,597 | $298,50 |
1000+ | $0,587 | $587,00 |
I prezzi sottostanti sono solo di riferimento.
Tutte le distinte materiali (BOM) possono essere inviate via e-mail a
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