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C3M0280090D +BOM

G3 SiC MOSFET with 900V voltage rating and 280mOhm on-state resistance

Produttore:

WOLFSPEED, INC
ProduttorePart #:

C3M0280090D
Scheda dati:

C3M0280090D Scheda dati (PDF)
Series:

C3M™
FET Type:

N-Channel
Technology:

SiCFET (Silicon Carbide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

900 V
EDA/CAD Modelli:

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C3M0280090D Descrizione generale

In addition, the low Rds(On) Test Voltage of 15V ensures efficient operation and minimal power loss, making the C3M0280090D an ideal choice for high-performance power electronics applications. With a power dissipation rating of 54W, this Mosfet is capable of delivering reliable and consistent performance under demanding conditions

Specifiche

Category	Discrete Semiconductor ProductsTransistorsFETs, MOSFETsSingle FETs, MOSFETs	Series	C3M™
FET Type	N-Channel	Technology	SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	900 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	15V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	360mOhm @ 7.5A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 1.2mA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.5 nC @ 15 V
Vgs (Max)	+18V, -8V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	150 pF @ 600 V
FET Feature	-	Power Dissipation (Max)	54W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Base Product Number	C3M0280090	Pin Count	3
Released Date	Mar 29, 2017	Last Modified Date	Mar 7, 2023 4:10 PM UTC

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