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C3M0015065K +BOM

N-Channel 650 V 120A (Tc) 416W (Tc) Through Hole TO-247-4L

Produttore:

Wolfspeed
ProduttorePart #:

C3M0015065K
Scheda dati:

C3M0015065K Scheda dati (PDF)
Technology:

SiC
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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C3M0015065K Descrizione generale

N-Channel 650 V 120A (Tc) 416W (Tc) Through Hole TO-247-4L

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	SiC
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	650 V
Id - Continuous Drain Current	91 A	Rds On - Drain-Source Resistance	15 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 4 V, + 15 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3.6 V
Qg - Gate Charge	188 nC	Minimum Operating Temperature	- 40 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Pd - Power Dissipation	416 W
Channel Mode	Enhancement	Configuration	Single
Fall Time	15 ns	Forward Transconductance - Min	42 S
Height	23.6 mm	Length	16.13 mm
Product	MOSFET	Product Type	MOSFET
Rise Time	32 ns	Factory Pack Quantity	30
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	57 ns	Typical Turn-On Delay Time	23 ns
Width	5.21 mm

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