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2N7053_D75Z +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 1.5 A 200MHz 1 W Through Hole TO-226-3

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

2N7053_D75Z
Scheda dati:

2N7053_D75Z Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

NPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max):

1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

1.5V @ 100µA, 100mA
EDA/CAD Modelli:

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2N7053_D75Z Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 1.5 A 200MHz 1 W Through Hole TO-226-3

Specifiche

Series	-	Transistor Type	NPN - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max)	1.5 A	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	100 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1.5V @ 100µA, 100mA	Current - Collector Cutoff (Max)	200nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	1000 @ 1A, 5V	Power - Max	1 W
Frequency - Transition	200MHz	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Base Product Number	2N7053

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