Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

2N5116 +BOM

JFET Through Hole TO-206AA (TO-18)

Produttore:

Solitron Devices Inc
ProduttorePart #:

2N5116
Scheda dati:

2N5116 Scheda dati (PDF)
Feature-channel-type:

P
Feature-configuration:

Single
Feature-maximum-drain-source-voltage-v:

30
Feature-maximum-gate-source-voltage-v:

30

2N5116 Descrizione generale

JFET Through Hole TO-206AA (TO-18)

Caratteristiche principali

Maximum power dissipation of 600mW
Maximum collector-base voltage of 50V
Maximum collector current of 100mA
Frequency range up to 1 GHz
Low noise figure
High gain and high input impedance

Applicazione

RF amplifier circuits in communication systems, such as mobile phones, radios, and televisions
Oscillator circuits
Mixer circuits
Signal generators
Ham radio circuits

Specifiche

feature-channel-type	P	feature-configuration	Single
feature-maximum-drain-source-voltage-v	30	feature-maximum-gate-source-voltage-v	30
feature-maximum-drain-gate-voltage-v	30	feature-maximum-continuous-drain-current-ma
feature-maximum-power-dissipation-mw	500	feature-packaging	Bag
feature-rad-hard		feature-pin-count	3
feature-cecc-qualified	No	feature-esd-protection
feature-military	No	feature-aec-qualified	No
feature-auto-motive	No	feature-p-pap	No
feature-eccn-code	EAR99	feature-svhc-exceeds-threshold	No

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..