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2N6668 +BOM

The 8 A, 60 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor is designed for general-purpose amplifier and low speed switching applications.

Produttore:

Multicomp Pro
ProduttorePart #:

2N6668
Scheda dati:

2N6668 Scheda dati (PDF)
Case Outline:

221A-09
MSL Temp (°C):

0
Container Type:

TUBE
Configuration:

Single
EDA/CAD Modelli:

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2N6668 Descrizione generale

The 8 A, 60 V PNP Darlington Bipolar Power Transistor is designed for general-purpose amplifier and low speed switching applications.

Caratteristiche principali

High DC Current Gain h_FE = 3500 (Typ) @ I_C = 4 Adc
Collector-Emitter Sustaining Voltage @ 200 mAdc V_CEO(sus) = 60 Vdc (Min) 2N6667 V_CEO(sus) = 80 Vdc (Min) - 2N6668
Low Collector-Emitter Saturation Voltage V_CE(sat) = 2 Vdc (Max) @ I_C = 5 A
Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistors
TO-220AB Compact Package
Complementary to 2N6387, 2N6388 Figure 1. Darlington Schematic

Specifiche

Status	Obsolete	Case Outline	221A-09
MSL Temp (°C)	0	Container Type	TUBE
Product Category	Darlington Transistors	Configuration	Single
Transistor Polarity	PNP	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	80 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector- Base Voltage VCBO	80 V
Maximum DC Collector Current	10 A	Pd - Power Dissipation	65 W
Mounting Style	Through Hole	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Continuous Collector Current	10 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	100, 1000	Height	9.28 mm
Length	10.28 mm	Product Type	Darlington Transistors
Factory Pack Quantity	50	Subcategory	Transistors
Width	4.82 mm	Unit Weight	0.211644 oz

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