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Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 12 A 100 W Through Hole TO-254
BGAProduttore:
ProduttorePart #:
2N7371
Scheda dati:
Series:
Military, MIL-PRF-19500/623
Transistor Type:
PNP - Darlington
Current - Collector (Ic) (Max):
12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):
100 V
EDA/CAD Modelli:
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Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 12 A 100 W Through Hole TO-254
Category | Discrete Semiconductor ProductsTransistorsBipolar (BJT)Single Bipolar Transistors | Series | Military, MIL-PRF-19500/623 |
Transistor Type | PNP - Darlington | Current - Collector (Ic) (Max) | 12 A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 100 V | Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 120mA, 12A |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA | DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 6A, 3V |
Power - Max | 100 W | Frequency - Transition | - |
Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
feature-type | PNP | feature-configuration | Single |
feature-number-of-elements-per-chip | 1 | feature-maximum-collector-emitter-voltage-v | 100 |
feature-maximum-collector-base-voltage-v | 100 | feature-maximum-emitter-base-voltage-v | 5 |
feature-maximum-base-emitter-saturation-voltage-v | 4@120mA@12A | feature-maximum-continuous-dc-collector-current-a | 12 |
feature-minimum-dc-current-gain | 1000@6A@3V|150@12A@3V | feature-maximum-power-dissipation-mw | 100000 |
feature-maximum-collector-emitter-saturation-voltage-v | 3@120mA@12A | feature-packaging | Tray |
feature-rad-hard | feature-pin-count | 3 | |
feature-cecc-qualified | No | feature-escc-qualified | |
feature-military | No | feature-aec-qualified | No |
feature-auto-motive | No | feature-p-pap | No |
feature-eccn-code | EAR99 | feature-svhc-exceeds-threshold | No |
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | $344,923 | $344,92 |
200+ | $133,481 | $26.696,20 |
500+ | $128,790 | $64.395,00 |
1000+ | $126,472 | $126.472,00 |
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2N2905
MICROCHIP
1000+ $19,458
2N3773
Onsemi
100+ $0,928
2N3055
Onsemi
1000+ $0,646
2N2219
Microchip
Excellent reliability and fast switching times make this BJTs transistor ideal for use in automotive, industrial, and consumer electronics
2N1711
Stmicroelectronics
With a gain of 8dB, this transistor is suitable for amplifying low-level signals