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2N2609 +BOM

Powerful electronic component for demanding application

Produttore:

Microchip
ProduttorePart #:

2N2609
Scheda dati:

2N2609 Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

P-Channel
Configuration:

Single
EDA/CAD Modelli:

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2N2609 Descrizione generale

JFET P-Channel 30 V 10 mA 300 mW Through Hole TO-18 (TO-206AA)

Specifiche

Product Category	JFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	P-Channel
Configuration	Single	Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage	30 V
Gate-Source Cutoff Voltage	6 V	Drain-Source Current at Vgs=0	- 10 mA
Pd - Power Dissipation	300 mW	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 200 C	Product Type	JFETs
Factory Pack Quantity	1	Subcategory	Transistors

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