Metodo di pagamento
![hsbc](/img/service-policies-hsbc.png)
![paypal](/img/service-policies-paypal.png)
![wu](/img/service-policies-wu.png)
![mg](/img/service-policies-mg.png)
Ideal for various electronic applications requiring efficient switching and power management within compact designs
SOT-23-3Produttore:
Diodes Incorporated
ProduttorePart #:
2N7002Q-7-F
Scheda dati:
Technology:
Si
Mounting Style:
SMD/SMT
Transistor Polarity:
N-Channel
Number Of Channels:
1 Channel
EDA/CAD Modelli:
Invia tutte le distinte materiali a
[email protected],
oppure compila il modulo sottostante per un preventivo su 2N7002Q-7-F. Risposta garantita entro
12hr.
Compila il breve modulo sottostante e ti forniremo immediatamente il preventivo.
The 2N7002Q-7-F is an N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR, designed for small signal applications. It has a maximum drain current (I(D)) of 0.17A and can handle up to 60V. This transistor is a single-element, N-Channel MOSFET, made of silicon. It is designed for use in a variety of electronic circuits where a small, efficient, and reliable transistor is required
Product Category | MOSFET | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
Id - Continuous Drain Current | 210 mA | Rds On - Drain-Source Resistance | 7.5 Ohms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
Qg - Gate Charge | 223 pC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 540 mW |
Channel Mode | Enhancement | Qualification | AEC-Q101 |
Series | 2N7002 | Configuration | Single |
Fall Time | 5.6 ns | Forward Transconductance - Min | 80 mS |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 3 ns |
Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
Typical Turn-Off Delay Time | 7.6 ns | Typical Turn-On Delay Time | 2.8 ns |
Unit Weight | 0.000282 oz |
Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione
Metodo di pagamento
Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:
[email protected]metodo di spedizione
AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..
Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
Promettiamo di fornire un servizio di garanzia della qualità di 365 giorni per tutti i nostri prodotti.
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
10+ | $0,033 | $0,33 |
100+ | $0,028 | $2,80 |
300+ | $0,026 | $7,80 |
3000+ | $0,024 | $72,00 |
6000+ | $0,023 | $138,00 |
9000+ | $0,022 | $198,00 |
I prezzi sottostanti sono solo di riferimento.
2N2222
Stmicroelectronics
1000+ $0,587
BC547
Onsemi
NPN Epitaxial Silicon Transistor
ULN2003
Onsemi
Versatile device for driving heavy loads and motor
IRF3205
Infineon
TO-220AB Tube Power Transistor with N-Channel Silicon
TAN15
Microchip
The TAN is a robust NPN transistor designed for high-frequency applications, capable of operating at up to V and continuous curren