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2N7002NXBKR +BOM
MOSFETs with null SOT-23 packaging and a maximum voltage rating of 60V
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3-
Produttore:
Nexperia USA Inc.
-
ProduttorePart #:
2N7002NXBKR
-
Scheda dati:
-
FET Type:
N-Channel
-
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
-
Drain To Source Voltage (Vdss):
60 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
270mA (Ta), 330mA (Tc)
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EDA/CAD Modelli:
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Disponibilità: 8770 PZ
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2N7002NXBKR Descrizione generale
The 2N7002NXBKR is a compact N-channel MOSFET transistor specifically designed for low-voltage applications, offering unparalleled efficiency and reliability. Manufactured by On Semiconductor, this surface-mount package transistor is perfect for switching circuits that require minimal power consumption. With a maximum drain-source voltage of 60V and continuous drain current of 300mA, the 2N7002NXBKR is an ideal choice for many low-power applications
Caratteristiche principali
- Fast recovery time
- Low leakage current
- Trench design optimized
- ESD protected up to 1kV
Applicazione
- Power supply controller
- Motor driver
- LED dimmer
Specifiche
FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 270mA (Ta), 330mA (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8Ohm @ 200mA, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 23.6 pF @ 10 V |
Power Dissipation (Max) | 310mW (Ta), 1.67W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Base Product Number | 2N7002 |
Politiche di servizio e altro
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In Stock: 8.770
Minimum Order: 1
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
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10+ | $0,038 | $0,38 |
100+ | $0,031 | $3,10 |
300+ | $0,027 | $8,10 |
3000+ | $0,023 | $69,00 |
6000+ | $0,021 | $126,00 |
9000+ | $0,020 | $180,00 |
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