Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

2N7002MTF +BOM

Power FET with N-Channel

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

2N7002MTF
Scheda dati:

2N7002MTF Scheda dati (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

115mA (Tc)
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per 2N7002MTF

2N7002MTF Descrizione generale

N-Channel 60 V 115mA (Tc) 200mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Caratteristiche principali

Lower RDS(on)
Improved Inductive Ruggedness
Fast Switching Times
Lower Input Capacitance
Extended Safe Operating Area
Improved High Temperature Reliability

Specifiche

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	115mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	5V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50 pF @ 25 V	Power Dissipation (Max)	200mW (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Base Product Number	2N7002

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..