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2N7002E-7-F +BOM

ENHANCEMENT MODE N-CHANNEL MOSFET

Produttore:

Diodes Incorporated
ProduttorePart #:

2N7002E-7-F
Scheda dati:

2N7002E-7-F Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

SMD/SMT
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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2N7002E-7-F Descrizione generale

N-Channel 60 V 250mA (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Caratteristiche principali

Low On-Resistance
Low Gate Threshold Voltage
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Small Surface Mount Package
Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	300 mA	Rds On - Drain-Source Resistance	3 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V
Qg - Gate Charge	223 pC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	540 mW
Channel Mode	Enhancement	Series	2N7002E
Configuration	Single	Forward Transconductance - Min	80 mS
Height	1 mm	Length	2.9 mm
Product	MOSFET Small Signals	Product Type	MOSFET
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 N-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	11 ns
Typical Turn-On Delay Time	7 ns	Width	1.3 mm
Unit Weight	0.000282 oz

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