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2N7002BKS,115 +BOM

Trench-gated transistor for improved durability and reliabili

Produttore:

Nexperia
ProduttorePart #:

2N7002BKS,115
Scheda dati:

2N7002BKS,115 Scheda dati (PDF)
Type Number:

2N7002BKS
Channel Type:

N
Nr Of Transistors:

2
VDS [max] (V):

60
EDA/CAD Modelli:

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2N7002BKS,115 Descrizione generale

The 2N7002BKS,115 is a high-performance Dual N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) designed for various electronic applications. The compact SOT363 (SC-88) package makes it ideal for space-constrained PCB designs. Utilizing advanced Trench MOSFET technology, this transistor offers improved efficiency and performance compared to traditional designs

Caratteristiche principali

This transistor features high-speed switching
Limited to 60V maximum operating voltage only
Ideal for applications requiring low on-resistance

Applicazione

High performance in a small package
Essential component for switching circuits
Ensures efficient power management

Specifiche

Type number	2N7002BKS	Channel type	N
Nr of transistors	2	VDS [max] (V)	60
RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ)	1600	RDSon [max] @ VGS = 5 V (mΩ)	2000
Tj [max] (°C)	150	ID [max] (A)	0.3
QGD [typ] (nC)	0.1	QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)	0.5
Ptot [max] (W)	0.445	VGSth [typ] (V)	1.6
Automotive qualified	Y	Ciss [typ] (pF)	33
Coss [typ] (pF)	7	Date	2011-01-24
Packing	SOT363_115	Orderable part number	2N7002BKS,115
Chemical content	2N7002BKS

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