Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

2N7002BKMB,315 +BOM

MOSFET N-Chan 60V 450mA

Produttore:

Nexperia USA Inc.
ProduttorePart #:

2N7002BKMB,315
Scheda dati:

2N7002BKMB,315 Scheda dati (PDF)
FET Type:

N-Channel
Technology:

MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):

60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:

450mA (Ta)
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per 2N7002BKMB,315

2N7002BKMB,315 Descrizione generale

The transistor's on-resistance is 1ohm, with a test voltage of 10V. It has a threshold voltage of 1.6V, making it suitable for low-power applications. The MOSFET is designed to offer efficient performance and reliable operation in a variety of electronic circuits

Caratteristiche principali

LOGIC LEVEL COMPATIBLE

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	450mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.6Ohm @ 450mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.1V @ 250µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	50 pF @ 10 V
Power Dissipation (Max)	360mW (Ta)	Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Base Product Number	2N7002

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..