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2N7002-TP +BOM

N-Channel 60 V 115mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SOT-23

2N7002-TP Descrizione generale

N-Channel 60 V 115mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SOT-23

Caratteristiche principali

  •  Halogen free available upon request by adding suffix "-HF" ·
  • Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating
  • Moisture Sensitivity Level 1
  • Advanced Trench Process Technology
  • High Input Impedance
  • High Speed Switching
  • CMOS Logic Compatible Input
  • Marking : 7002/S72
  • ·  ·

Specifiche

Pbfree Code Yes Part Life Cycle Code Active
Pin Count 3 Reach Compliance Code compliant
ECCN Code EAR99 Additional Feature CMOS COMPATIBLE
Configuration SINGLE DS Breakdown Voltage-Min 60 V
Drain Current-Max (ID) 0.34 A Drain-source On Resistance-Max 7.5 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR Feedback Cap-Max (Crss) 5 pF
JESD-30 Code R-PDSO-G3 JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1 Number of Elements 1
Number of Terminals 3 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 °C Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type N-CHANNEL Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES Terminal Finish MATTE TIN
Terminal Form GULL WING Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 10 Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON Product Category MOSFET
Technology Si Mounting Style SMD/SMT
Transistor Polarity N-Channel Number of Channels 1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V Id - Continuous Drain Current 115 mA
Rds On - Drain-Source Resistance 7.5 Ohms Vgs - Gate-Source Voltage - 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage 1 V Qg - Gate Charge -
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Pd - Power Dissipation 200 mW Channel Mode Enhancement
Series TrenchFET Forward Transconductance - Min 80 mS
Product MOSFET Small Signals Product Type MOSFET
Factory Pack Quantity 3000 Subcategory MOSFETs
Transistor Type 1 N-Channel Unit Weight 0.000282 oz

Politiche di servizio e altro

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