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N-Channel Power MOSFET
TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)FormedLeadsProduttore:
onsemi
ProduttorePart #:
2N7000TA
Scheda dati:
FET Type:
N-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
200mA (Tc)
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This N-channel MOSFET transistor, known as the 2N7000TA, is designed to handle a continuous drain current of 200mA and a drain-source voltage of 60V. With an on-resistance of 5ohm at a test voltage of 10V, it also features a threshold voltage of 3.9V. Housed in a TO-226AA case style with 3 pins, this transistor has a power dissipation rating of 400mW and can operate at a maximum temperature of 150°C. Classified as not containing any SVHC, this product does not meet any automotive qualification standard or have an assigned MSL level
FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50 pF @ 25 V | Power Dissipation (Max) | 400mW (Ta) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
Base Product Number | 2N7000 |
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