Metodo di pagamento
2N7000RLRAG +BOM
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 60V, 200mA, 5 Ω
TO-226-3,TO-92-3LongBody(FormedLeads)-
Produttore:
onsemi
-
ProduttorePart #:
2N7000RLRAG
-
Scheda dati:
-
FET Type:
N-Channel
-
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
-
Drain To Source Voltage (Vdss):
60 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
200mA (Ta)
-
EDA/CAD Modelli:
Invia tutte le distinte materiali a [email protected], oppure compila il modulo sottostante per un preventivo su 2N7000RLRAG. Risposta garantita entro 12hr.
Disponibilità: 6823 PZ
Compila il breve modulo sottostante e ti forniremo immediatamente il preventivo.
2N7000RLRAG Descrizione generale
With the 2N7000RLRAG N-channel Small Signal MOSFETs, ON Semiconductor has raised the bar for compact yet powerful components. Utilizing their proprietary DMOS technology, these MOSFETs deliver exceptional on-state resistance reduction, ensuring optimal performance in a wide range of applications. Capable of handling up to 400 mA DC and bursts of 2 A, these MOSFETs are ideal for tasks that demand efficiency and reliability at low power levels. Whether you're designing for low-voltage systems or need precise control in low-current scenarios, these MOSFETs offer the performance and durability you need
Caratteristiche principali
- High Isolation and Common Mode Rejection
- Rise Time Independent of Input Signal
- Low Power Consumption and High Speed
Applicazione
- Small but powerful
- Efficient voltage regulation
- Perfect for portable electronics
Specifiche
FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA (Ta) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 500mA, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 60 pF @ 25 V | Power Dissipation (Max) | 350mW (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
Base Product Number | 2N7000 |
Politiche di servizio e altro
Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione
Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:
[email protected]metodo di spedizione
AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..
Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
Promettiamo di fornire un servizio di garanzia della qualità di 365 giorni per tutti i nostri prodotti.
In Stock: 6.823
Minimum Order: 1
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | - | - |
I prezzi sottostanti sono solo di riferimento.
prodotti sponsorizzati
Top Sellers
-
2N2222
Stmicroelectronics
1000+ $0,587
-
BC547
Onsemi
NPN Epitaxial Silicon Transistor
-
ULN2003
Onsemi
Versatile device for driving heavy loads and motor
-
IRF3205
Infineon
TO-220AB Tube Power Transistor with N-Channel Silicon
-
TAN15
Microchip
The TAN is a robust NPN transistor designed for high-frequency applications, capable of operating at up to V and continuous curren