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2N7000P +BOM

Suitable for Low-Power Applications Requiring Precise Control

Produttore:

diodes incorporated
ProduttorePart #:

2N7000P
Scheda dati:

2N7000P Scheda dati (PDF)
Technology:

Si
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

N-Channel
Number Of Channels:

1 Channel
EDA/CAD Modelli:

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Caratteristiche principali

60 Volt VCEO
RDS(on) = 5 Ω

Specifiche

Product Category	MOSFET	Technology	Si
Mounting Style	Through Hole	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V
Id - Continuous Drain Current	200 mA	Vgs - Gate-Source Voltage	- 30 V, + 30 V
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	400 mW	Channel Mode	Enhancement
Series	2N7000	Configuration	Single
Product	MOSFET Small Signal	Product Type	MOSFET
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Unit Weight	0.016000 oz

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