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P-Channel 100 V 11A (Tc) 4W (Ta), 75W (Tc) Through Hole TO-204AA (TO-3)
TO-204AE-2Produttore:
Microsemi Corporation
ProduttorePart #:
2N6804
Scheda dati:
FET Type:
P-Channel
Technology:
MOSFET (Metal Oxide)
Drain To Source Voltage (Vdss):
100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C:
11A (Tc)
EDA/CAD Modelli:
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P-Channel 100 V 11A (Tc) 4W (Ta), 75W (Tc) Through Hole TO-204AA (TO-3)
FET Type | P-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 11A, 10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Feature | - | Power Dissipation (Max) | 4W (Ta), 75W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
Product Category | MOSFET | Mounting Style | Through Hole |
Transistor Polarity | P-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V | Id - Continuous Drain Current | 11 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 350 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Pd - Power Dissipation | 75 W |
Channel Mode | Enhancement | Configuration | Single |
Fall Time | 140 ns | Height | 7.74 mm |
Length | 39.37 mm | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 140 ns | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 P-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 140 ns (Max) |
Typical Turn-On Delay Time | 60 ns (Max) | Width | 25.53 mm |
Unit Weight | 0.229281 oz |
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