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2N6798 +BOM

N-Channel 200 V 5.5A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39

Produttore:

Microsemi Corporation
ProduttorePart #:

2N6798
Scheda dati:

2N6798 Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

No
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

2
Reach Compliance Code:

compliant
EDA/CAD Modelli:

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2N6798 Descrizione generale

200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package - A 2N6798 with Hermetic PackagingMIL-PRF-19500/557

Caratteristiche principali

Low RDS(on)
Ease of Paralleling
Qualified to MIL-PRF-19500/557

Specifiche

Pbfree Code	No	Part Life Cycle Code	Active
Pin Count	2	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Configuration	SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min	200 V	Drain Current-Max (ID)	5.5 A
Drain-source On Resistance-Max	4 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-205AF	JESD-30 Code	O-MBCY-W3
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	22 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	NO	Terminal Form	WIRE
Terminal Position	BOTTOM	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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