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2N6796 +BOM

Magnatec 2N6796 N-channel MOSFET Transistor, 8 A, 100 V, 3-Pin TO-39

Produttore:

Microsemi Corporation
ProduttorePart #:

2N6796
Scheda dati:

2N6796 Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

No
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

2
Reach Compliance Code:

compliant
EDA/CAD Modelli:

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2N6796 Descrizione generale

N CHANNEL MOSFET, 100V, 8A TO-205AF; Tra; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:8A; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):180mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Power Dissipation Pd:25W; Transistor Case Style:TO-39; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Avalanche Single Pulse Energy Eas:75mJ; Current Id Max:8A; Current Temperature:25°C; External Length / Height:18.03mm; Full Power Rating Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; Lead Length:14.22mm; No. of Transistors:1; Package / Case:TO-39; Power Dissipation Pd:25W; Power Dissipation Pd:25W; Pulse Current Idm:32A; Termination Type:Through Hole; Voltage Vds Typ:100V; Voltage Vgs Max:4V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Max:4V; Weight:0.002kg

Caratteristiche principali

Low RDS(on)

Ease of Paralleling

Qualified to MIL-PRF-19500/557

Specifiche

Pbfree Code	No	Part Life Cycle Code	Active
Pin Count	2	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	100 V
Drain Current-Max (ID)	8 A	Drain-source On Resistance-Max	0.18 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95 Code	TO-205AF
JESD-30 Code	O-MBCY-W3	JESD-609 Code	e0
Number of Elements	1	Number of Terminals	3
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	32 A
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Finish	TIN LEAD	Terminal Form	WIRE
Terminal Position	BOTTOM	Transistor Element Material	SILICON

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