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2N6756 +BOM

100V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-204AA package - A 2N6756 with Hermetic Packaging

Produttore:

Harris Corporation
ProduttorePart #:

2N6756
Scheda dati:

2N6756 Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

No
Part Life Cycle Code:

Active
Additional Feature:

RADIATION HARDENED
Case Connection:

DRAIN
EDA/CAD Modelli:

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2N6756 Descrizione generale

N-Channel 100 V 14A (Tc) 4W (Ta), 75W (Tc) Through Hole TO-204AA

Specifiche

Pbfree Code	No	Part Life Cycle Code	Active
Reach Compliance Code		Additional Feature	RADIATION HARDENED
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	100 V	Drain Current-Max (ID)	14 A
Drain-source On Resistance-Max	0.18 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-204AA	JESD-30 Code	O-MBFM-P2
JESD-609 Code	e0	Moisture Sensitivity Level	NOT SPECIFIED
Number of Elements	1	Number of Terminals	2
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	30 A
Qualification Status	COMMERCIAL	Surface Mount	NO
Terminal Finish	TIN LEAD	Terminal Form	PIN/PEG
Terminal Position	BOTTOM	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

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