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Vedi Specifiche Tecniche

2N6520TA +BOM

High Voltage PNP Bipolar Junction Transistor

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

2N6520TA
Scheda dati:

2N6520TA Scheda dati (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

PNP
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

350 V
EDA/CAD Modelli:

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2N6520TA Descrizione generale

The 2N6520TA is a High Voltage PNP Bipolar Junction Transistor that is perfect for general purpose switching tasks. Whether you need to control the flow of current in your circuit or regulate power distribution, this transistor is up to the challenge. With its TO-92 packaging, this device is suited for medium power applications, making it a versatile component for a wide range of electronic projects

Caratteristiche principali

High blocking voltage,V_CE0 = 350 V
Pb-Free Package

Applicazione

High voltage

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	PNP	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	350 V	Collector- Base Voltage VCBO	350 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	1 V
Maximum DC Collector Current	500 mA	Pd - Power Dissipation	625 mW
Gain Bandwidth Product fT	200 MHz	Minimum Operating Temperature	-
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	2N6520
Continuous Collector Current	- 500 mA	DC Collector/Base Gain hfe Min	30
DC Current Gain hFE Max	200	Height	4.7 mm
Length	4.7 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	2000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	3.93 mm
Part # Aliases	2N6520TA_NL	Unit Weight	0.008466 oz

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