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2N6039 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 4 A 40 W Through Hole SOT-32-3

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

2N6039
Scheda dati:

2N6039 Scheda dati (PDF)
Configuration:

Single
Transistor Polarity:

NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

80 V
Emitter- Base Voltage VEBO:

5 V
EDA/CAD Modelli:

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2N6039 Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 4 A 40 W Through Hole SOT-32-3

Caratteristiche principali

Precise Current Control
Compact Surface Mount
Safe Operating Range

Applicazione

SWITCHING

Specifiche

Product Category	Darlington Transistors	Configuration	Single
Transistor Polarity	NPN	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	80 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector- Base Voltage VCBO	80 V
Maximum DC Collector Current	4 A	Maximum Collector Cut-off Current	500 uA
Pd - Power Dissipation	40 W	Mounting Style	Through Hole
Minimum Operating Temperature	- 65 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Continuous Collector Current	4 A	DC Collector/Base Gain hfe Min	100, 500, 750
Height	11.04 mm	Length	7.74 mm
Product Type	Darlington Transistors	Factory Pack Quantity	500
Subcategory	Transistors	Width	2.66 mm
Unit Weight	0.068784 oz

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