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2N4920 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 1 A 3MHz 30 W Through Hole TO-126

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

2N4920
Scheda dati:

2N4920 Scheda dati (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

PNP
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

80 V
EDA/CAD Modelli:

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2N4920 Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 1 A 3MHz 30 W Through Hole TO-126

Caratteristiche principali

Silicon-based power amplifier device
Low power consumption module
High-frequency switching component
Radio frequency module for communication

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	PNP	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	80 V	Collector- Base Voltage VCBO	80 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	600 mV
Maximum DC Collector Current	1 A	Pd - Power Dissipation	30 W
Gain Bandwidth Product fT	3 MHz	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Continuous Collector Current	3 A
DC Collector/Base Gain hfe Min	40	Height	11.04 mm
Length	7.74 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	500	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	2.66 mm
Unit Weight	0.068784 oz

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