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The Power 3 A, 80 V Bipolar PNP Transistor is designed for driver circuits, switching and amplifier applications.
TO-126Produttore:
onsemi
ProduttorePart #:
2N4919G
Scheda dati:
Mounting Style:
Through Hole
Transistor Polarity:
PNP
Configuration:
Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
60 V
EDA/CAD Modelli:
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The Power 3 A, 80 V Bipolar PNP Transistor is designed for driver circuits, switching and amplifier applications.
Product Category | Bipolar Transistors - BJT | Mounting Style | Through Hole |
Transistor Polarity | PNP | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 60 V | Collector- Base Voltage VCBO | 60 V |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 600 mV |
Maximum DC Collector Current | 3 A | Pd - Power Dissipation | 30 W |
Gain Bandwidth Product fT | 3 MHz | Minimum Operating Temperature | - 65 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Series | 2N4919 |
Continuous Collector Current | 3 A | DC Collector/Base Gain hfe Min | 40 |
Height | 11.04 mm | Length | 7.74 mm |
Product Type | BJTs - Bipolar Transistors | Factory Pack Quantity | 500 |
Subcategory | Transistors | Technology | Si |
Width | 2.66 mm | Unit Weight | 0.068784 oz |
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Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | $0,768 | $0,77 |
200+ | $0,299 | $59,80 |
500+ | $0,287 | $143,50 |
1000+ | $0,283 | $283,00 |
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