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2N4918G +BOM

The Power 3 A, 80 V Bipolar PNP Transistor is designed for driver circuits, switching and amplifier applications.

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

2N4918G
Scheda dati:

2N4918G Scheda dati (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

PNP
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

40 V
EDA/CAD Modelli:

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2N4918G Descrizione generale

The Power 3 A, 80 V Bipolar PNP Transistor is designed for driver circuits, switching and amplifier applications.

Caratteristiche principali

Low Saturation Voltage - V_CE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ I_C = 1.0 Amp
Excellent Power Dissipation - P_D = 30 W @ T_C = 25°C
Excellent Safe Operating Area
Gain Specified to I_C = 1.0 Amp
Complement to NPN 2N4921, 2N4922, 2N4923
Pb-Free Package is Available

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	PNP	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	40 V	Collector- Base Voltage VCBO	40 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	600 mV
Maximum DC Collector Current	3 A	Pd - Power Dissipation	30 W
Gain Bandwidth Product fT	3 MHz	Minimum Operating Temperature	- 65 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	2N4918
Continuous Collector Current	3 A	DC Collector/Base Gain hfe Min	40
Height	11.04 mm	Length	7.74 mm
Product Type	BJTs - Bipolar Transistors	Factory Pack Quantity	500
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Width	2.66 mm	Unit Weight	0.024022 oz

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