Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

2N4410 TIN/LEAD +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 250 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92-3

Produttore:

Central Semiconductor Corp
ProduttorePart #:

2N4410 TIN/LEAD
Scheda dati:

2N4410 TIN/LEAD Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

250 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

80 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

200mV @ 100µA, 1mA
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per 2N4410 TIN/LEAD

2N4410 TIN/LEAD Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 250 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92-3

Specifiche

Series	-	Transistor Type	NPN
Current - Collector (Ic) (Max)	250 mA	Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	80 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	200mV @ 100µA, 1mA	Current - Collector Cutoff (Max)	10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	60 @ 10mA, 1V	Power - Max	625 mW
Frequency - Transition	300MHz	Operating Temperature	-65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..