Questo sito web utilizza i cookie. Utilizzando questo sito, acconsenti all'utilizzo dei cookie. Per ulteriori informazioni, dai un'occhiata al nostro politica sulla riservatezza.

Le immagini servono solo come riferimento,

Vedi Specifiche Tecniche

2N4299 +BOM

Bipolar (BJT) Transistor 250 V 1 A 20MHz 20 W Through Hole TO-66

Produttore:

Central Semiconductor Corp
ProduttorePart #:

2N4299
Scheda dati:

2N4299 Scheda dati (PDF)
Current - Collector (Ic) (Max):

1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

250 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

750mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max):

600µA
EDA/CAD Modelli:

Richiedi modelli CAD gratuiti per 2N4299

2N4299 Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor 250 V 1 A 20MHz 20 W Through Hole TO-66

Specifiche

Series	-	Current - Collector (Ic) (Max)	1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	250 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	750mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max)	600µA	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	50 @ 50mA, 10V
Power - Max	20 W	Frequency - Transition	20MHz
Operating Temperature	-65°C ~ 175°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole

Politiche di servizio e altro

Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

Pagamento

Metodo di pagamento

TT/bonifico bancario

PayPal

Western Union

Grammo dei soldi

Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:

[email protected]

Spedizione e imballaggio

metodo di spedizione

Fedex

UPS

DHL

NTN

Imballaggio

AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..