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2N4123 +BOM

Boxed Product 2N4123

Produttore:

Onsemi
ProduttorePart #:

2N4123
Scheda dati:

2N4123 Scheda dati (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

30 V
EDA/CAD Modelli:

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2N4123 Descrizione generale

One of the key highlights of the 2N4123 is its current gain (hfe) range of 40 to 120 at a collector current of 10mA, making it suitable for low to medium power applications. Additionally, the transistor boasts a transition frequency (ft) of 150MHz, indicating its capability to perform reliably at high frequencies without compromising performance

Caratteristiche principali

Excellent frequency response achieved
Precise control over output signal
Ergonomic design for easy handling

Applicazione

Oscillators
Amplifiers
Power supplies

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	30 V	Collector- Base Voltage VCBO	40 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V	Maximum DC Collector Current	200 mA
Pd - Power Dissipation	625 mW	Gain Bandwidth Product fT	250 MHz
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Continuous Collector Current	200 mA	DC Collector/Base Gain hfe Min	50
DC Current Gain hFE Max	150	Height	4.7 mm
Length	4.7 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Subcategory	Transistors	Technology	Si
Width	3.93 mm	Unit Weight	0.008466 oz

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Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione

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