Metodo di pagamento
2N3963 +BOM
Small Signal Bipolar Transistor with 0.2A I(C) and 45V V(BR)CEO
TO-18-3-
Produttore:
Tt Electronics
-
ProduttorePart #:
2N3963
-
Scheda dati:
-
Mounting Style:
Through Hole
-
Transistor Polarity:
PNP
-
Configuration:
Single
-
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
80 V
-
EDA/CAD Modelli:
Invia tutte le distinte materiali a [email protected], oppure compila il modulo sottostante per un preventivo su 2N3963. Risposta garantita entro 12hr.
Disponibilità: 5661 PZ
Compila il breve modulo sottostante e ti forniremo immediatamente il preventivo.
2N3963 Descrizione generale
Efficiency is a key feature of the 2N3963 transistor, thanks to its low collector-emitter saturation voltage of 0.5 V at 10 mA collector current. This characteristic ensures minimal power loss and improved energy efficiency, making it a cost-effective solution for power-sensitive applications. Furthermore, the low noise figure of the transistor enhances signal clarity and fidelity, making it a reliable choice for low-noise amplification tasks where precision is paramount
Caratteristiche principali
- High frequency response
- Low thermal sensitivity
- Excellent linearity
Applicazione
- Compact size
- Automotive use
- Multiple functions
Specifiche
Product Category | Bipolar Transistors - BJT | Mounting Style | Through Hole |
Transistor Polarity | PNP | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 80 V | Collector- Base Voltage VCBO | 80 V |
Emitter- Base Voltage VEBO | 6 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 250 mV |
Pd - Power Dissipation | 360 mW | Gain Bandwidth Product fT | 40 MHz |
Minimum Operating Temperature | - 65 C | Maximum Operating Temperature | + 200 C |
Continuous Collector Current | - 200 mA | DC Collector/Base Gain hfe Min | 100 at - 10 uA, - 5 V |
DC Current Gain hFE Max | 300 at - 10 uA, - 5 V | Product Type | BJTs - Bipolar Transistors |
Subcategory | Transistors | Technology | Si |
Politiche di servizio e altro
Relativi al servizio post-vendita e alla liquidazione
Per canali di pagamento alternativi, contattaci a:
[email protected]metodo di spedizione
AVAQ determina e confeziona tutti i dispositivi in base ai requisiti di protezione contro le scariche elettrostatiche (ESD) e il livello di sensibilità all'umidità (MSL)..
Prodotto 365 giorni
Qualità garantita
Promettiamo di fornire un servizio di garanzia della qualità di 365 giorni per tutti i nostri prodotti.
In Stock: 5.661
Minimum Order: 1
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | - | - |
I prezzi sottostanti sono solo di riferimento.
prodotti sponsorizzati
Top Sellers
-
2N2222
Stmicroelectronics
1000+ $0,587
-
BC547
Onsemi
NPN Epitaxial Silicon Transistor
-
ULN2003
Onsemi
Versatile device for driving heavy loads and motor
-
IRF3205
Infineon
TO-220AB Tube Power Transistor with N-Channel Silicon
-
TAN15
Microchip
The TAN is a robust NPN transistor designed for high-frequency applications, capable of operating at up to V and continuous curren