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2N3906A +BOM

Transistors - BJT

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

2N3906A
Scheda dati:

2N3906A Scheda dati (PDF)
Transistor Polarity:

PNP
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

40 V
Collector- Base Voltage VCBO:

40 V
EDA/CAD Modelli:

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2N3906A Descrizione generale

GENERAL PURPOSE APPLICATION.SWITCHING APPLICATION.FEATURES• Low Leakage Current : ICEX=-50nA(Max.), IBL=-50nA(Max.) @VCE=-30V, VEB=-3V.• Low Saturation Voltage : VCE(sat)=-0.4V(Max.) @IC=-50mA, IB=-5mA.• Low Collector Output Capacitance : Cob=4.5pF(Max.) @VCB=5V.• Complementary to 2N3904A.

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Transistor Polarity	PNP
Configuration	Single	Collector- Emitter Voltage VCEO Max	40 V
Collector- Base Voltage VCBO	40 V	Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Pd - Power Dissipation	600 mW	Gain Bandwidth Product fT	250 MHz
DC Collector/Base Gain hfe Min	60 at 100 uA, 1 V	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Subcategory	Transistors	Technology	Si

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