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2N3904G +BOM

Compact and reliable general-purpose transisto

Produttore:

onsemi
ProduttorePart #:

2N3904G
Scheda dati:

2N3904G Scheda dati (PDF)
Mounting Style:

Through Hole
Transistor Polarity:

NPN
Configuration:

Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:

40 V
EDA/CAD Modelli:

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2N3904G Descrizione generale

Product 2N3904G is a Bipolar Transistor featuring a Transistor Polarity of NPN, making it suitable for various electronic applications. With a Collector Emitter Voltage (V(br)ceo) of 40V, this transistor provides reliable performance in different circuit configurations. The Collector Emitter Saturation Voltage (Vce(sat)) of only 0.3V ensures efficient operation with minimal power loss

Caratteristiche principali

Low Power Consumption for Longer Battery Life
Integrated Diode for Simplified Design
Wide Operating Temperature Range for Global Use
Rugged and Reliable Construction for Demanding Environments

Specifiche

Product Category	Bipolar Transistors - BJT	Mounting Style	Through Hole
Transistor Polarity	NPN	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	40 V	Collector- Base Voltage VCBO	60 V
Emitter- Base Voltage VEBO	6 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	300 mV
Maximum DC Collector Current	200 mA	Pd - Power Dissipation	625 mW
Gain Bandwidth Product fT	300 MHz	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Continuous Collector Current	200 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min	60	Height	5.33 mm
Length	5.2 mm	Product Type	BJTs - Bipolar Transistors
Factory Pack Quantity	5000	Subcategory	Transistors
Technology	Si	Width	4.19 mm

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