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2N3416 +BOM
Robust and versatile NPN transistor ideal for amplification, switching, and mor
TO-92-3-
Produttore:
onsemi
-
ProduttorePart #:
2N3416
-
Scheda dati:
-
Mounting Style:
Through Hole
-
Transistor Polarity:
NPN
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Configuration:
Single
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Collector- Emitter Voltage VCEO Max:
50 V
-
EDA/CAD Modelli:
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2N3416 Descrizione generale
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 500 mA 625 mW Through Hole TO-92-3
Specifiche
Product Category | Bipolar Transistors - BJT | Mounting Style | Through Hole |
Transistor Polarity | NPN | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 50 V | Collector- Base Voltage VCBO | 50 V |
Emitter- Base Voltage VEBO | 5 V | Maximum DC Collector Current | 500 mA |
Pd - Power Dissipation | 625 mW | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Continuous Collector Current | 500 mA |
DC Collector/Base Gain hfe Min | 75 | DC Current Gain hFE Max | 225 |
Height | 5.33 mm | Length | 5.2 mm |
Product Type | BJTs - Bipolar Transistors | Factory Pack Quantity | 10000 |
Subcategory | Transistors | Technology | Si |
Width | 4.19 mm | Unit Weight | 0.008466 oz |
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In Stock: 7.072
Minimum Order: 1
Qtà. | Prezzo unitario | Est. Prezzo |
---|---|---|
1+ | $0,821 | $0,82 |
200+ | $0,319 | $63,80 |
500+ | $0,308 | $154,00 |
1000+ | $0,301 | $301,00 |
I prezzi sottostanti sono solo di riferimento.
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