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2N3110 +BOM

Bipolar Transistors - BJT

Produttore:

Solid State Inc.
ProduttorePart #:

2N3110
Scheda dati:

2N3110 Scheda dati (PDF)
Transistor Type:

NPN
Current - Collector (Ic) (Max):

1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max):

40 V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic:

1V @ 100mA, 1A
EDA/CAD Modelli:

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2N3110 Descrizione generale

Bipolar (BJT) Transistor NPN 40 V 1 A 60MHz 800 mW Through Hole TO-39

Specifiche

Transistor Type	NPN	Current - Collector (Ic) (Max)	1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	40 V	Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	1V @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max)	10nA	DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	40 @ 150mA, 1V
Power - Max	800 mW	Frequency - Transition	60MHz
Operating Temperature	-65°C ~ 200°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole

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