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2N3055G +BOM

Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 15 A 2.5MHz 115 W Through Hole TO-204 (TO-3)

Produttore:

ON SEMICONDUCTOR
ProduttorePart #:

2N3055G
Scheda dati:

2N3055G Scheda dati (PDF)
Pbfree Code:

Yes
Part Life Cycle Code:

Active
Pin Count:

2
Reach Compliance Code:

not_compliant
EDA/CAD Modelli:

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2N3055G Descrizione generale

The 2N3055G PNP Bipolar Power Transistor is a crucial component for high power amplifier and switching amplifier circuits. Its robust design and performance make it an ideal choice for applications that require high power output

Caratteristiche principali

Smart Power Grid Integration
Crypto-Accelerator Hardware Support
Fault-Tolerant Network Architecture
Real-Time Location Identification
Persistent Data Recovery Mechanism
Multicore Processor with Parallel Execution

Applicazione

Industrial

Specifiche

Source Content uid	2N3055G	Pbfree Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Pin Count	2
Reach Compliance Code	not_compliant	ECCN Code	EAR99
HTS Code	8541.29.00.95	Factory Lead Time	37 Weeks, 4 Days
Case Connection	COLLECTOR	Collector Current-Max (IC)	15 A
Collector-Emitter Voltage-Max	60 V	Configuration	SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE)	5	JEDEC-95 Code	TO-204AA
JESD-30 Code	O-MBFM-P2	JESD-609 Code	e3
Number of Elements	1	Number of Terminals	2
Operating Temperature-Max	200 °C	Operating Temperature-Min	-65 °C
Polarity/Channel Type	NPN	Power Dissipation-Max (Abs)	115 W
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	NO
Terminal Finish	MATTE TIN	Terminal Form	PIN/PEG
Terminal Position	BOTTOM	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON	Transition Frequency-Nom (fT)	2.5 MHz

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