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RGW60TS65DGC11 +BOM

650V 60A N-Channel IGBT Chip TO-247N Tube

RGW60TS65DGC11 Descrizione generale

IGBT Trench Field Stop 650 V 60 A 178 W Through Hole TO-247N

rgw60ts65dgc11

Caratteristiche principali

  • Low Collector - Emitter Saturation Voltage
  • High Speed Switching
  • Low Switching Loss & Soft Switching
  • Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant

Specifiche

Product Category IGBT Transistors Technology Si
Mounting Style Through Hole Configuration Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 650 V Collector-Emitter Saturation Voltage 1.5 V
Maximum Gate Emitter Voltage - 30 V, 30 V Continuous Collector Current at 25 C 60 A
Pd - Power Dissipation 178 W Minimum Operating Temperature - 40 C
Maximum Operating Temperature + 175 C Continuous Collector Current Ic Max 60 A
Gate-Emitter Leakage Current 200 nA Product Type IGBT Transistors
Factory Pack Quantity 30 Subcategory IGBTs
Part # Aliases RGW60TS65D

Politiche di servizio e altro

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L
L**n 11/18/2020

Delivery 24 days after order by ukrmail. 30 names of 20 pieces of each only 600. Denominations: 10; 22; 47; 100; 150; 200; 220; 270; 330; 470; 510; 680; 1 k; 2 k; 2 k; 3.3 k; 4.7 k; 5.1 k; 6.8 k; 10 k; 20 k; 47 k; 50 k; 68 k; 100 k; 220 k; 300 k; 470 k; 680 k; 1 m. Selectively checked several pieces in each nominal value-the error is not more than 0,5%, which is good. Purchase satisfied. Thank you seller

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